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Отечественные полупроводниковые приборы
Аксенов А. И.
,
Нефедов А. В.
10в
транзисторы
ггц
мгц
биполярные
раздел
мкс
прибора
10к
кбо
кгц
мка
тип
k3r
структура
мвт
кремниевые
кэо
ктах
гкэнас
эботах
кэотах
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гбэнас
транзисторов
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15в
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напряжение
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эмиттером
база
100в
имп
общим
выкл
мощности
h216
схем
тока
0,2к
30в
tpac
приборы
Année:
2008
Langue:
russian
Fichier:
DJVU, 26.88 MB
Vos balises:
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russian, 2008
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